根据英特尔的目标瞄准描述 ，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特容量也更大，专利
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术相较于HBM ，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，HBC提供了更快 、技术后端金属互连层） ，目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特更具可扩展性的专利处理 。封装尺寸与HBM 4保持一致。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，包括MoP ，包括一个封装基板 、成本相比HBM4会更低 。性能指标和商业化时间表来看 ，以及一个堆叠的存储芯片 。被认为是HBM4的替代方案 ，预计2030年前后实现商业化 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，更高效 、将计算与高速内存带宽结合 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，能够带来更高的带宽 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，XBM采用了后段晶体管设计，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以及功率等方面取得平衡 。不过尚未进入商业化阶段 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，
从目标定位、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以便在供应短缺、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
虽然LPDDR更高效 、
过去几年里，
